CSD23280F3 低导通电阻超低Qg和Qgd高功率漏极电流垃圾箱
时间：2022/11/16 16:01:06 编辑：
这款-12-v，97mω，
p沟道femtofet™mosfet经过精心设计和优化，
可最大限度地减少许多手持和移动应用中的占位面积。
该技术能够替代标准的小信号mosfet，
同时显着减小占位面积。
51电子网公益库存:BGD102BGY114BBK5933BSH108BSH201BSS138BTS4141NBU4344FBU4833GBU4940GBWD1215C0805C104J4RACTUC147DC384CC431PM1C506ABR356WBS412CBK-1205SFECD4073BFCD4081BECD54ACT08F3ACE-0936C照排机H341TCH7036A-BFCLN-50CP8085ATCS611616CS61584AIQ5ZCSD75205W1015
http://tenghaowy.51dzw.com/
http://szhsddz.51dzw.com/
特征
低导通电阻
超低qg和qgd
高功率漏极电流
超小尺寸
0.73毫米×0.64毫米
超薄型
0.35毫米最大高度
集成esd保护二极管
额定> 4 kv hbm
额定> 2-kv cdm
无铅和无卤素
符合rohshttp://szhsddz3.51dzw.com标准
应用
•电池应用
•手持和移动应用程序
csd23280f3
mosfet的设计和优化使其最小化
仪表盒适用于许多手持和移动应用
导通电阻
vgs = -1.5 v 230
毫欧
vgs = -1.8 v 180
vgs = -2.5 v 129
vgs = -4.5 v 97
vgs（th）阈值电压-0.65 v.
ta = 25°c典型值单位
vds漏极 - http://xiangxing.51dzw.com源极电压-12 v
qg栅极电荷总量（4.5 v）0.95 nc
qgd栅极充电栅极到漏极0.068 nc
rds（on）
漏 - 源
( 素材图片：texas instruments. 如涉版权问题请及时联系删除，特别感谢！)
csd23280f3
这款-12-v，97mω，
p沟道femtofet™mosfet经过精心设计和优化，
可最大限度地减少许多手持和移动应用中的占位面积。
该技术能够替代标准的小信号m攀枝花osfet，
同时显着减小占位面积。
51电子网公益库存:BGD102BGY114BBK5933BSH108BSH201BSS138BTS4141NBU4344FBU4833GBU4940GBWD1215C0805C104J4RACTUC147DC384CC431PM1C506ABR356WBS412CBK-1205SFECD4073BFCD4081BECD54ACT08F3ACE-0936CH341TCH7036A-BFCLN-50CP8085ATCS611616CS61584AIQ5ZCSD75205W1015
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特征
低导通电阻
超低qg和qgd
高功率漏极电流
超小尺寸
0.73毫米×0.64毫米
超薄型
0.35毫米最大高度
集成esd保护二极管
额定> 4 kv hbm
额定> 2-kv cdm
无铅和无卤素
符合rohshttp://szhsddz3.51dzw.com标准
应用
•电池应用
•手持和移动应用程序
csd23280f3
mosfet的设计和优化使其最小化
适用于许多手持和移动应用
导通电阻
vgs = -1.5 v 230
毫欧
vgs = -1.8 v 180
vgs = -2.5 v 129
vgs = -4.5 v 97
vgs（th）阈值电压-0.65 v.
ta = 25°c典型值单位
vds漏极 - http://xiangxing.51dzw.com源极电压-12 v
qg栅极电荷总量（4.5 v）0.95 nc
qgd栅极充电栅极到漏极0.068 nc
rds（on）
漏 - 源
( 素材图片：texas instruments. 如涉版权问题请及时联系删除，特别感谢！)